廣州增芯、泰科天潤、嘉興斯達等多個半導體項目迎來最新動態！

近日，半導體領域多個項目迎來最新進展，涉及晶圓制造、芯片封裝及測試、半導體設備、功率器件、第三代半導體材料等多個領域。

總投資近17億元，晶旭半導體二期項目預計8月主體落成

近日，據上杭融媒消息，福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導體”）二期項目已完成三通一平工程量的90%，現正進行地基施工中。

據晶旭半導體負責人消息，該項目總投資16.8億元，建設136畝工業廠區，將建成全球首條氧化鎵基超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線，首批產線應該會實現400kk的年產能。是2023年12月份開建，目前已完成整個樁基地下工程部分，正在做樁基測試部分。預計在今年4月底5月初完成主體生產廠房封頂，8月份項目主體工程會落成。

2月2日，深圳市睿悅投資控股集團有限公司與晶旭半導體的戰略投資簽署儀式舉行。此次睿悅投資作為晶旭半導體的獨家戰略投資人，對晶旭半導體戰略投資億元人民幣，助力其實現年產75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達產。

光安倫擬投建高端芯片產品測試及驗證項目

據武漢左嶺新城開發投資有限公司消息顯示，光芯片企業武漢光安倫光電技術有限公司（以下簡稱“光安倫”）與高科左嶺產業園簽訂協議，項目入駐武漢新城。光安倫擬在武漢高科左嶺產業園內投資建設高端芯片產品測試及驗證項目，項目總投資約5000萬元，主要開展光芯片Bar條以后的解理、測試、分選、老化及驗證等。

中國光谷消息顯示，該項目可滿足2.5G-100G速率高端芯片產品的解理、測試、老化、驗證全工序批量作業。線體具有高自動化、高良率和高精度水平，可實現月產150-200萬出貨量，具備年產3000萬只芯片的產品交付能力，可實現年產值近3億元。

公開資料顯示，光安倫公司成立于2015年，是國內光通信行業從芯片設計、外延生長、芯片制程、工藝開發以及測試、封裝全流程的IDM（垂直整合制造）生產廠家。

廣州增芯370億項目搬入光刻機

3月11日，廣州增芯科技有限公司12英寸先進智能傳感器及特色工藝晶圓制造量產線項目（以下簡稱“增芯項目”）迎來工廠最核心設備--光刻機搬入，標志著增芯項目迎來項目建設的關鍵性節點，順利進入調試投產準備階段。

據悉，增芯項目一期計劃投資370億元，預計項目一期一階段建成后，將具備年產24萬片12英寸晶圓的生產能力，產品將主要應用于新能源智能汽車、超高清視頻顯示、高端裝備、5G、人工智能、工業互聯網等領域。

據增芯科技總經理張亮介紹，增芯此次引進的光刻機產能輸出速率可達到260片/小時，其資金投入占整個工廠建設投資的約25%。

泓滸半導體泓橋基地項目開工建設

據泓滸半導體官方消息，3月11日，泓滸半導體泓橋基地項目開工建設。據悉，開設泓橋基地項目目的在于繼續擴大企業研發規模，加速核心技術迭代，賦能半導體晶圓傳輸設備及核心零部件全國產化。

官方資料顯示，泓滸半導體2016年成立于蘇州，專注于半導體晶圓傳輸自動化設備研發和制造，該公司晶圓傳輸設備（SORTER/EFEM）在半導體設備前、中、后道工藝均有產品使用，其中8/12英寸晶圓分選設備進入國產主流大硅片生產線及先進封裝線。

科陽半導體二期項目在蘇相合作區開工奠基

3月8日，蘇州科陽半導體有限公司二期工程項目在蘇相合作區開工奠基。

蘇州工業園區蘇相合作區發布消息稱，蘇州科陽半導體有限公司從事晶圓級封裝測試服務業，于2013年籌建，2014年量產，已成為年產30億顆的晶圓級先進封裝企業?？脐柊雽w專注先進封測技術的研發量產，4英寸、6英寸、8英寸和12英寸全尺寸晶圓級封裝產品線，具有TSV、WLCSP、Bumping等多種封裝能力。目前，科陽半導體一期1.7萬方廠房的主要產線處于滿產狀態。

裕太微電子總部基地項目在蘇州高新區開工

據蘇州高新區發布消息，3月8日，裕太微電子總部基地項目在蘇州高新區開工建設，將打造核心技術研發中心，為推動光子及集成電路產業發展，加快發展新質生產力再添強勁動能。

據悉，此次開工的裕太微電子總部基地項目坐落于太湖科學城功能片區，主要用于完善和擴大裕太微電子核心技術研發中心。項目強化車規級芯片與汽車產業鏈協同，構建更加融合的網狀供應鏈生態。

裕太微電子股份有限公司落戶蘇州高新區以來，已實現了高速有線通信核心領域的全面國產化替代，是國內極少數擁有自主知識產權并實現多速率、多端口以太網物理層芯片大規模銷售的供應商。去年在上交所科創板成功上市，成為“以太網物理層芯片第一股”。

北京順義泰科天潤項目一期投資4億元，預計2028年達產

3月4日，北京順義消息顯示，順義區21個在建市區重點產業項目全部復工復產，其中包括泰科天潤建設公司總部、研發中心及8英寸SiC功率器件生產基地項目。目前，項目正在進行打樁收尾和結構施工建設準備。

該項目將建設辦公研發總部基地及應用于新能源汽車、國家電網等領域6-8英寸碳化硅功率器件生產基地，一期投資4億元，年產SiC SBD和MOSFET等類型晶圓2萬片，預計實現產值8億元，2028年達產。

2023年3月27日，泰科天潤總部項目在北京中關村順義園舉行開工奠基儀式。當時，中關村順義園消息顯示，泰科天潤總部項目位于中關村順義園第三代半導體產業基地，規劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設。項目建成后，泰科天潤將整體遷入中關村順義園第三代半導體產業基地內，進一步統籌技術開發、工程化、標準制定、應用示范等環節，研發生產用于新能源汽車、國家電網等領域的功率器件。

值得一提的是，在北京市2023年重點工程計劃中，泰科天潤總部及生產廠房項目在列。

渭南圓益半導體存儲芯片材料配套項目開工

3月1日，渭南圓益半導體存儲芯片材料配套項目開工儀式在陜西渭南經開區舉行。項目總占地面積約11畝，總投資約1.26億元。

渭南發布消息顯示，渭南圓益半導體存儲項目是渭南圓益的二期投資項目。據了解，渭南圓益半導體新材料有限公司是渭南經開區引進的韓國獨資企業，也是渭南經開區引進外資投資的重大突破。

該項目主要建設半導體行業在芯片生產過程中使用的高純度電子特氣存儲配套設施，項目計劃建設期為1年，從2024年3月至2025年2月，項目建成運營后，將為三星半導體等行業龍頭客戶供應8種電子級特殊氣體，主要用于半導體存儲芯片生產過程中的吹掃、刻蝕、光刻等工藝環節。

沛塬電子研發中心落地臨港新片區

據上海臨港消息，2月27日，上海沛塬電子有限公司（以下簡稱“沛塬電子”）臨港研發中心正式入駐臨港新片區海洋創新園·海立方園三期。

官方資料顯示，沛塬電子2021年成立于上海臨港，是一家專注于電源模塊技術的公司，開展的高端功率半導體模組和高頻算力芯片供電模組等高端電源變換器組件產品的國產化工作取得了快速突破。

據悉，沛塬電子計劃在2024年將實現多款主流型號產品量產交付，并針對光儲充、車載電機控制器等新能源領域應用場景的智能 功率模組IPM需求，開發相應技術和產品方案。

總投資20億，嘉興斯達SiC芯片項目計劃3月投產

3月4日，南湖發布消息顯示，近日，浙江省發改委公布了2024年浙江省擴大有效投資“千項萬億”工程，南湖區14個重大項目入選，其中嘉興斯達微電子有限公司（以下簡稱“嘉興斯達”）高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目等3個項目將于今年投產。

據悉，嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目建設地點位于嘉興南湖區，總投資20億元，總用地面積279畝，新增建筑面積20.6萬平方米，新建生產廠房、動力樓、?；瘋}庫等建構筑物，購置包括光刻機、涂膠顯影機等工藝設備。建設單位為嘉興斯達微電子有限公司，建設工期為2022-2024年，項目于2022年1月3日開工，計劃2024年3月投入使用。項目投產后可實現年產36萬片功率芯片生產能力。

強華股份集成電路核心裝備新材料生產基地項目封頂

近日，上海強華實業股份有限公司（以下簡稱“強華股份”）“集成電路核心裝備新材料生產基地項目”封頂儀式在上海臨港產業區舉行。

據悉，強華股份臨港項目主要生產8英寸-12英寸高純、高精度石英器件及其它相關硅基器件。該項目于2023年3月拿地，同年7月開工建設。

公開資料顯示，強華股份是一家擁有20多年石英加工經驗，主要從事高純、高精度石英材料制品研發、生產及銷售的企業，目前強華股份現已成為中芯國際、北方華創等國內一線集成電路制造商石英器件的核心供應商。

總投資約11億，拓荊科技擬投建高端半導體設備產業化基地

3月1日，拓荊科技股份有限公司（以下簡稱“拓荊科技”）發布公告稱，公司基于整體戰略布局及經營發展的需要，為加快產能規劃及產業布局，擬投資建設“高端半導體設備產業化基地建設項目”。

據公告披露，該項目由拓荊科技及其子公司拓荊創益共同實施，擬在沈陽市渾南區購置土地建設新的產業化基地，包括千級生產潔凈間、立體庫房、測試實驗室等。該產業化基地建成后，將進一步提高其的產能，以支撐PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半導體設備產品未來的產業化需求，從而推動公司業務規模的持續增長，提升公司整體競爭力和盈利能力。

具體來看，拓荊科技以公司及全資子公司拓荊創益為實施主體，項目總投資額約為11億元，其中公司投資金額約為3.8億元，拓荊創益投資金額約為7.2億元。公司擬調減首發募投項目“先進半導體設備的技術研發與改進項目”募集資金承諾投資總額2億元，同時調減超募資金投資項目“半導體先進工藝裝備研發與產業化項目”的募集資金承諾投資總額5000萬元，并將上述調減的募集資金合計2.5億元投入“高端半導體設備產業化基地建設項目”，其余項目資金8.5億元由公司及拓荊創益自籌。

總投資32.7億，重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用

據濱海寶安消息，近日，第三代半導體碳化硅材料生產基地在深圳寶安區啟用，由深圳市重投天科半導體有限公司建設運營，將進一步補強深圳第三代半導體“虛擬全產業鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產業發展“第三極”。

濱海寶安消息顯示，該項目2021年11月開工建設，2022年11月關鍵生產區域廠房結構封頂，2023年6月襯底產線正式進入試運行階段。

第三代半導體碳化硅材料生產基地總投資32.7億元，是廣東省和深圳市重點項目，深圳全球招商大會重點簽約項目。其中，圍繞生產襯底和外延等制造芯片的基礎材料，該項目重點布局了6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產線，預計今年襯底和外延產能達25萬片，將有效解決下游客戶在軌道交通、新能源汽車、分布式新能源、智能電網、高端電源、5G通訊、人工智能等重點領域的碳化硅器件產業鏈發展的原材料基礎保障和供應瓶頸，為深圳及廣東本地龍頭企業長期提供穩定可靠足量的襯底及外延材料，以加快推動全產業鏈核心技術自主可控和量產原材料保障。

未來，重投天科還將設立大尺寸晶體生長和外延研發中心，并與本地重點實驗室在儀器設備共享及材料領域開展合作，與重點裝備制造企業加強晶體加工領域的技術創新合作，聯動下游龍頭企業在車規器件、模組研發等工作上聯合創新，并助力深圳提升8英寸襯底平臺領域研發及產業化制造技術水平。

總投資30億，上海新微半導體有限公司二期項目落地臨港

據上海市建設工程交易服務中心消息，近日，位于臨港新片區的上海新微半導體有限公司二期項目已開啟資格預審，并在2月27日進行公開招標。

據悉，上海新微半導體有限公司二期項目建設內容為電子通信廣電-微電子產品項目工程，擬新建多層廠房和倉庫層數3層，工程總投資30億元。

資料顯示，上海新微半導體有限公司2020年1月成立于中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區。作為先進的化合物半導體晶圓代工企業，新微半導體擁有一流的工藝制程和特色解決方案，專注于為射頻、功率和光電三大應用領域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務，生產的芯片可廣泛應用于通信、新能源、消費電子、汽車、工業和生物醫療等終端應用領域。不僅擁有完備的工藝制程和全套的解決方案，還為客戶提供設計支持、MPW晶圓服務、光罩服務、測試與分析服務等增值服務。

新微半導體在國內外化合物半導體技術基礎上，通過先進異質外延技術、新型鍵合技術和襯底技術，實現與硅工藝的深度融合，獲得性能和成本的雙重競爭力。為加速射頻與光電相關化合物半導體領域技術產業化，加速完善上海集成電路產業生態、升級產業鏈相關環節，成立了上海市化合物半導體技術創新中心，目標是促進國內卓越的化合物半導體材料、器件、集成創新策源地的形成。

希爾電子功率半導體新項目廠房預計下半年投用

近日，3月5日，據“樂山發布”消息，位于四川樂山高新區的希爾電子功率半導體新項目廠房預計在今年下半年逐步投用，屆時該公司將新增4個品類的生產線。

據悉，自2000年5月成立以來，希爾電子專注于功率半導體器件的研發、制造及銷售，擁有從芯片設計、制造到器件研發、封測和銷售的IDM完整產業鏈，具有年產300萬片4英寸高端GPP/FRD芯片生產能力。公司主要產品為IGBT、FRD及整流器件三大系列，產品主要應用于消費電子、新能源、工業電源、工業控制和汽車電子等領域。

據報道，希爾電子從2015年開始研究IGBT芯片，經過多年努力，公司自主研發的IGBT產品在功率半導體器件行業位居前5，多項技術屬于行業首創，已實現進口替代。

目前，在完成FRD、IGBT產品系列化開發的基礎上，希爾電子加快了IPM、PIM集成模塊和第三代半導體SiC、GaN等功率器件的研發步伐。在第三代半導體領域，希爾電子的SiC功率器件已逐步量產，GaN功率器件已經進入樣品試制階段。

業務方面，美的、格力、海爾等品牌均為希爾電子長期合作伙伴。近年來，希爾電子正在從家電電源向光伏、儲能、新能源汽車等領域拓展，并已經與新能源汽車行業頭部客戶達成合作。

封面圖片來源：拍信網